NVRAM的写日志至站点A。MCC通过这种方式实现两个站点存储的双活，MCC集群节点也是双活，但对于某一应用主机来说，实则只在一个站点活动。

性能方面，MCC的读性能和单存储类似，写性能存在1倍的RTT。

(4)SVC Vplex Metro

Vplex Metro和其他三种方式都不一样，是一种分布式的存储双活/多活架构。Vplex没有写缓存，有了分布式缓存，标榜为access anywhere

没有写缓存就意味了，主机对VPLEX的写是透写模式，主机的写IO只是经过VPLEX的虚拟化直接落入到底层存储，并在分布式缓存目录表中记录这个写IO是通过哪个VPLEX引擎写入的。当需要对该数据块进行读操作时，先是在分布式缓存目录中查找数据块是通过哪个VPLEX引擎写入的，然后再通过本地的VPLEX引擎转发该读请求至上一次写入该数据块的VPLEX引擎，通过它来读取它后端的存储，*终原路返回。另外，对于写入的IO，透穿过VPLEX写底层存储时，还将同步一份IO副本至另一VPLEX引擎的底层存储。

所以可以看到，对于某数据中心VPLEX的读操作来说，如果刚好上次该数据块的写操作时也是发在该VPLEX中，那么读是本地读，亲和性好。如果刚好上次该数据块的的写操作不是在该VPLEX，那么就需要跨站点进行读操作，亲和性弱，存在1倍的跨站点RTT；对于写，都是本地写，只不过需要将该写IO同步至另一站点的底层存储，也存在1倍的跨站点RTT。

好了，写了这么多，将几种主流的存储双活架构的读写操作流程写清楚了。简单对比如下：

 

由这张图可以看到：

读性能：

SVC ESC、HDS GAD和NETAPP MCC都是本地读，性能*好，而SVC HYPERSWAP和SVC VPLEX METRO的本地读不“稳定”，某些情况下，存在跨站点读的问题，增加了读响应时间。

写性能：

基本上所有的存储双活方案都存在写往返延迟的问题，*少为1倍的RTT，其中SVC ESC、HDS GAD、NETAPP MCC、SVC VPLEX METRO都存在1倍RTT，这是无法避免的，可以说是存储双活的必然问题，而SVC HYPERSWAP某些情况下，存在2倍RTT的问题，写性能影响更严重。

当然评价一个存储双活方案的好坏，不能仅从性能影响去看，更应该看重其综合能力，这里不再赘述。